发明名称 Hochvolttransistor mit hoher Stromtragfähigkeit und Verfahren zur Herstellung
摘要 Ein Isolationsbereich (10) über eine Driftstrecke (12) wird mit einem Abstand (d) zu einem für einen Drain-Anschluss (D) vorgesehenen Kontaktbereich (4) hergestellt. Der Isolationsbereich wird als Implantationsmaske verwendet, um ein Dotierstoffprofil der Driftstrecke herzustellen, bei dem die Dotierstoffkonzentration zum Drain hin zunimmt. Die Implantation des Dotierstoffes kann statt dessen vor der Herstellung des Isolationsbereiches erfolgen, und die nachträgliche Herstellung des Isolationsbereiches (10) verändert das Dotierstoffprofil ebenfalls in einer Weise, dass die Dotierstoffkonzentration zum Drain hin zunimmt.
申请公布号 DE102008051245(A1) 申请公布日期 2010.05.12
申请号 DE20081051245 申请日期 2008.10.10
申请人 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG 发明人 ROEHRER, GEORG
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
地址