等离子体处理装置

摘要

本实用新型提出了一种新型的等离子体处理装置：在下电极施加至少一个高频射频源和一个低频射频源，在上电极的外围环绕设置一个由绝缘材料制成的绝缘环。高频射频源的射频能量能顺利地耦合至绝缘环到达绝缘环上方的接地导体腔，从而可以增强被处理基片的边缘的等离子体密度，进而实现沿整个基片表面的等离子体处理的均一性，而绝缘环相对低频电场的阻抗很高，使得低频功率较难耦合至绝缘环，这样减小了低频射频源的接地面积，从而也减小了离子能量。

主权项

一种等离子体处理装置，包括：由导电材料制成的接地反应腔，该反应腔包括一顶部；反应腔的顶部安装有一个由导电材料制成的上电极；在反应腔内与上电极相对应的下方设置有一下电极；所述下电极连接有一第一频率的射频电源及一第二频率的射频电源，所述第一频率高于第二频率；所述上电极外围设置一绝缘环围绕该上电极；其中该第一频率的射频电源的射频能量能够穿过所述绝缘环与反应腔顶部电耦合，所述第二频率的射频电源的射频能量经过绝缘环到反应腔的阻抗大于经过上电极到反应腔的阻抗2倍。