| 发明名称 | 采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法 | ||
| 摘要 | 一种采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底以及一键合衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层，所述键合衬底表面具有自停止层，所述自停止层表面具有薄膜半导体层；以薄膜半导体层和绝缘层的暴露表面为键合面将支撑衬底与键合衬底键合；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀键合衬底的第一腐蚀液，将键合衬底腐蚀除去；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀自停止层的第二腐蚀液，将自停止层腐蚀除去。本发明的优点在于，采用旋转腐蚀工艺腐蚀支撑衬底和自停止层，可以避免腐蚀液浸入到自停止层和薄膜半导体层而对薄膜半导体层和绝缘层进行腐蚀，因此能够保证最终产品结构的完整性。 | ||
| 申请公布号 | CN101707188A | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200910199624.X | 申请日期 | 2009.11.27 |
| 申请人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 王曦;魏星;王湘;李显元;张苗;林成鲁 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一支撑衬底以及一键合衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层，所述键合衬底表面具有自停止层，所述自停止层表面具有薄膜半导体层；以薄膜半导体层和绝缘层的暴露表面为键合面将支撑衬底与键合衬底键合；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀键合衬底的第一腐蚀液，将键合衬底腐蚀除去；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀自停止层的第二腐蚀液，将自停止层腐蚀除去。 | ||
| 地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 | ||