| 发明名称 | 高纯度铪、由该高纯度铪形成的靶及薄膜和高纯度铪的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及除锆和气体成分之外的纯度为4N或更高、氧含量为40重量ppm或更低的高纯度铪，以及由该高纯度铪形成的靶和薄膜；除锆和气体成分之外的纯度为4N或更高、硫含量和磷含量分别为10重量ppm或更低的高纯度铪，以及由该高纯度铪形成的靶和薄膜。本发明还涉及使用锆减少的海绵铪作为原料，并且进一步减少了铪中所含的氧、硫和磷含量的高纯度铪材料，以及由该材料形成的靶和薄膜，和高纯度铪的制造方法。从而提供能够制造高纯度铪材料的有效稳定的制造技术以及由该材料形成的靶和薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1882711B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200480034175.9 | 申请日期 | 2004.10.25 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 新藤裕一朗 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22B34/14(2006.01)I;C22B9/22(2006.01)I;C22C27/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;樊卫民 |
| 主权项 | 高纯度铪，除锆和气体成分之外的纯度为4N或更高，氧含量为40重量ppm或更低，硫和磷的含量分别为10重量ppm或更低，并且锆的含量为0.1重量％或更低。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||