| 发明名称 | 一种硅料清洁方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体材料清洁处理技术领域，特别涉及对废硅料去除表层杂质的清洁工艺，按下列步骤完成：(1)硅料沉浸于氢氟酸和硝酸混合酸溶液中；(2)捞取浸渍后的硅料，用纯水多级冲洗；(3)将冲洗后的硅料浸泡于纯水；(4)测定纯水浸泡液的电导率；(5)捞取硅料，烘干。经本发明清洁后的废硅料完全清除了硅料表层的杂质和污物，符合制作半导体元器件的材料要求，为缓解硅料资源紧缺作出了贡献。 | ||
| 申请公布号 | CN1947869B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200610050725.7 | 申请日期 | 2006.05.12 |
| 申请人 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 发明人 | 吴云才 |
| 分类号 | B08B3/08(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B3/04(2006.01)I;C23G1/02(2006.01)I | 主分类号 | B08B3/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人 | 徐关寿 |
| 主权项 | 一种硅料清洁方法，其特征在于：按下列步骤完成：(1)硅料沉浸于氢氟酸和硝酸混合酸溶液中，氢氟酸的浓度为40％-49％，硝酸的浓度为65％-68％，氢氟酸和硝酸的比例为1∶8～12，硅料在混合酸液中浸渍时间为1.5-3分钟；(2)捞取浸渍后的硅料，用纯水多级冲洗；(3)将冲洗后的硅料浸泡于纯水；(4)测定纯水浸泡液的电导率；(5)捞取硅料，烘干。 | ||
| 地址 | 314117 浙江省嘉善县姚庄镇工业区宝群路8号 | ||