CMOS图像传感器的制造方法

摘要

一种CMOS图像传感器的制造方法，在焊盘上形成氮化硅(SiN)层。微透镜，根据期望的透镜组装密度具有最小高度和覆盖区，由沉积在氮化硅上的氧化膜和氮化膜制成。因为透镜具有低高度，透镜的折射率可以被改进。可以在主透镜弯曲部分的下面额外地形成侧壁隔离物型内透镜，以有助于克服由单一透镜结构引起的问题。

主权项

一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：形成金属线图样；在所述金属线图样上形成焊盘膜；在所述焊盘膜上形成钝化膜；通过使用光刻胶掩模蚀刻所述钝化膜来形成凹槽，用于形成具有期望形状的微透镜；在所述已蚀刻的钝化膜上顺序地沉积高密度等离子氧化膜和O3四乙基正硅酸酯膜；以及深蚀刻所述高密度等离子氧化膜和所述O3四乙基正硅酸酯膜，以在所述已蚀刻的钝化膜的表面上形成主透镜弯曲部分，并在所述已蚀刻的钝化膜的所述凹槽的内侧壁处形成侧壁隔离物型透镜，从而形成双透镜结构。