| 发明名称 | 提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，属于半导体材料器件制作技术领域。所述方法包括：对氮化镓基场效应晶体管进行清洗；在氮气保护下对清洗后的所述氮化镓基场效应晶体管进行高温存储。通过本发明，提高了氮化镓基场效应晶体管的肖特基势垒高度，降低了氮化镓基场效应晶体管肖特基的反向漏电，提高了氮化镓基场效应晶体管的功率特性和击穿特性，解决了氮化镓基场效应晶体管在工作中参数漂移的问题，提高了氮化镓基场效应晶体管的稳定性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101707184A | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200910303939.4 | 申请日期 | 2009.07.02 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 赵妙;王鑫华;刘新宇;李诚瞻;魏珂;郑英奎 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L21/8252(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法，其特征在于，包括：对氮化镓基场效应晶体管进行清洗；在氮气保护下对清洗后的所述氮化镓基场效应晶体管进行高温存储。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||