横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构

摘要

本发明提出一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管(LDNMOS)结构，包括自下而上分布的基底层、氧化层和多晶硅层，多晶硅层作为LDNMOS的栅极。两个N型漂移区，分别位于基底层内的氧化层的两侧，以做为LDNMOS的源极和漏极。P型漂移区，在基底层内环设在LDNMOS的栅极、源极和漏极外，以作为LDNMOS的基电极。其中，环形P型漂移区在源极和漏极之间向氧化层的另外两侧延伸至距离氧化层的边缘0～0.2μm处。本发明提出的LDNMOS结构能够使LDNMOS的栅氧化层GOX中较薄的部分受到环形P型漂移区中P型离子的补偿，保持器件的阈值电压Vt恒定，从而限制LDNMOS的双峰效应。

主权项

一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构，其特征是，包括：自下而上分布的基底层、氧化层和多晶硅层，上述多晶硅层作为横向扩散金属氧化物半导体晶体管的栅极；两个N型漂移区，分别位于上述基底层内的上述氧化层的两侧，以做为横向扩散金属氧化物半导体晶体管的源极和漏极；以及环形P型漂移区，在上述基底层内环设在横向扩散金属氧化物半导体晶体管的栅极、源极和漏极外，作为横向扩散金属氧化物半导体晶体管的基电极，其中，上述环形P型漂移区在上述源极和漏极之间向上述氧化层的另外两侧延伸，上述环形P型漂移区的边缘距离上述氧化层的边缘的距离为0～0.2um。