发明名称 | 一种铁电/铁磁两相复合薄膜及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开的铁电/铁磁两相复合薄膜是在Si基板上原位生成的铁电相和铁磁相两相复合薄膜,其中铁电相为PbTiO3相,铁磁相为NiFe2O4相。其制备方法:以醋酸铅,钛酸丁酯,醋酸镍和硝酸铁为溶质,乙酸和乙二醇甲醚为溶剂配制溶胶先驱体。然后用浸渍提拉法在Si基板上镀膜,在不同温度下热处理。本发明工艺简单,成本低廉;用sol-gel法原位形成铁电/铁磁相复合材料可以使两相在分子尺度上均匀复合,大大增加接触面积,使磁电系数更高;sol-gel法原位铁电铁磁薄膜的制备技术可与半导体集成电路技术相兼容,使得开发集半导体大规模集成电路与铁电铁磁复合薄膜诸功能于一体的多功能电路、器件和系统具有更好的应用前景。 | ||
申请公布号 | CN1889209B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
申请号 | CN200610052569.8 | 申请日期 | 2006.07.20 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 杜丕一;董艳玲;宋晨路;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文 |
分类号 | H01F41/14(2006.01)I | 主分类号 | H01F41/14(2006.01)I |
代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 韩介梅 |
主权项 | 一种铁电/铁磁两相复合薄膜,其特征是在Si基板上原位生成的铁电相和铁磁相两相复合薄膜,其中的铁电相为PbTiO3相,铁磁相为NiFe2O4相。 | ||
地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |