发明名称 具有增强散热性的半导体封装结构
摘要 具有增强散热性的半导体封装结构。在一实施例中,一具有增强散热性的封装的半导体装置包括一引线框架和一半导体芯片,所述半导体芯片包括一主载流电极或发热电极。所述半导体芯片的所述主载流电极面对所述封装的顶面或远离下一级装配。所述封装的半导体装置进一步包括一不平的、阶跃形的或波动形的连接结构,所述连接结构将所述载流电极连接到所述引线框架上。高热导率的成型材料的使用和薄的封装外形进一步增强了散热性。
申请公布号 CN101073151B 申请公布日期 2010.05.12
申请号 CN200480044528.3 申请日期 2004.12.20
申请人 半导体元件工业有限责任公司 发明人 弗朗西斯·J·卡尔尼;迈克尔·J·瑟登
分类号 H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L23/495(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 秦晨
主权项 一种电子封装结构,包括:一半导体管芯,其具有一主载流电极以及控制电极;一阶跃形连接结构,其连接于所述主载流电极;第二连接结构,其连接于所述控制电极;以及一包封层,其覆盖所述半导体管芯的至少一部分,同时又外露所述阶跃形连接结构的一部分。
地址 美国亚利桑那