发明名称 |
一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路,包括:开通回路、放电回路、加速回路、MOS管、第九电阻、第十一电阻;所述加速回路有第二电阻与第一电容串联组成,所述加速回路一端连接在PWM信号端,另一端与开通回路相连,开通回路经第九电阻与放电回路相连,放电回路经第十一电阻连接在MOS管的漏极。本实用新型通过R2,C1组成的脉冲边沿加速电路使得驱动电路可提供更大的瞬间输出电流,显著缩短功率管开通时间,减小了功率管开关损耗;在保证高速驱动的同时,整个驱动电路的电流消耗由常见的8mA减小为小于2.5mA,约3倍改善;而且由于功耗减小,自举供电电容容量可大幅减小,自举二极管可选择电流额定值更小的二极管,使得成本得以降低。 |
申请公布号 |
CN201467101U |
申请公布日期 |
2010.05.12 |
申请号 |
CN200920130245.0 |
申请日期 |
2009.04.02 |
申请人 |
深圳市麦格米特驱动技术有限公司 |
发明人 |
李树白 |
分类号 |
H03K19/01(2006.01)I;H03K17/04(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/01(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路,其特征在于,包括:开通回路、放电回路、加速回路、MOS管(Q1)、第九电阻(R9)、第十一电阻(R11);所述加速回路有第二电阻(R2)与第一电容(C1)串联组成,所述加速回路一端连接在PWM信号端,另一端与开通回路相连,开通回路经第九电阻(R9)与放电回路相连,放电回路经第十一电阻(R11)连接在MOS管(Q1)的漏极。 |
地址 |
518053 广东省深圳市南山区蛇口沿山路18号中建工业大厦2栋6楼 |