硅晶体电池表面结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种硅晶体电池表面结构及其制造方法，其包含一主体，主体具有一正面及一背面。其中主体的正面之粗糙系数大于其背面之粗糙系数，且正面微结构的表面形态包括复数个锥状体，背面微结构的表面形态包括复数个弧状体或复数个多边形体。本发明使得硅晶体电池表面结构的背面比其正面更平坦，由此提升光电转换效率，降低制作过程中破片的机率。

主权项

一种硅晶体电池表面结构，其主体包含一正面及一背面，其特征在于：所述的正面微结构的表面形态包括复数个锥状体，所述的背面微结构的表面形态包括复数个弧状体或复数个多边形体，正面微结构的粗糙系数大于背面微结构的粗糙系数。