发明名称 |
一种反重力逆向合成硫化镉纳米线的方法 |
摘要 |
本发明属于纳米硫化镉线合成的相关技术领域,具体涉及一种反重力逆向合成硫化镉纳米线的方法。具体步骤为:聚四氟乙烯薄膜的预处理,硫化钠和氯化镉溶液的制备,经过聚四氟乙烯薄膜孔道作用,逆向生长出纳米硫化镉线,清洗及后处理。本发明的优点在于:实施简单,产物单一稳定,反应中不引入其他化学添加剂。 |
申请公布号 |
CN101704546A |
申请公布日期 |
2010.05.12 |
申请号 |
CN200910198675.0 |
申请日期 |
2009.11.12 |
申请人 |
同济大学 |
发明人 |
寿一鸣;吴庆生 |
分类号 |
C01G11/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01G11/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海正旦专利代理有限公司 31200 |
代理人 |
张磊 |
主权项 |
一种反重力逆向制备硫化镉纳米线的方法,其特征在于具体步骤如下:(1)聚四氟乙烯薄膜的预处理裁减聚四氟乙烯薄膜,在60-80℃下,用去离子水和无水乙醇反复清洗至中性;清洗后的薄膜置于真空干燥箱中减压干燥,备用;(2)硫化钠和氯化镉溶液的制备配制浓度为0.1mol/L的Na2S水溶液,浓度为0.1mol/L的CdCl2水溶液,Na2S与CdCl2的摩尔比为7∶10-9∶10;(3)逆向生长过程室温下,将Na2S溶液置于锥形瓶中,表面用干净的橡皮筋扎上步骤(1)处理的聚四氟乙烯薄膜;将封膜的锥形瓶倒置于装有CdCl2溶液的烧杯中,静置2-4小时后,硫化镉线即形成;(4)清洗及后处理将步骤(3)合成的硫化镉纳米线经过纯水、无水乙醇交替清洗后,在乙醇中形成悬浊液储存,并进行系列分析表征。 |
地址 |
200092 上海市四平路1239号 |