发明名称 |
具有叠层软磁衬层的垂直磁记录介质 |
摘要 |
本发明提供一种具有叠层软磁衬层(SUL)的垂直磁记录介质,更具体地,提供一种包括形成在衬底上的垂直磁记录层和叠层SUL的记录介质。该SUL包括插入在叠层结构之间的反铁磁层,该叠层结构包括磁层、非磁性层和磁层。所述层均具有20nm或更小的厚度,且该反铁磁层下面的所述层比该反铁磁层上面的所述层薄。形成在该反铁磁层上面和下面的该叠层结构具有通过交换偏置设置在彼此相反的径向方向上的单向磁各向异性。结果,介质磁畴噪声可减小。 |
申请公布号 |
CN1767008B |
申请公布日期 |
2010.05.12 |
申请号 |
CN200510092408.7 |
申请日期 |
2005.08.18 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
林志庆;金庸洙;李丙圭;吴薰翔;李兑孝 |
分类号 |
G11B5/667(2006.01)I;G11B5/82(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/667(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
李晓舒;魏晓刚 |
主权项 |
一种垂直磁记录介质,包括:衬底;形成在该衬底上的垂直磁记录层;以及软磁衬层,其插入在该衬底和该垂直磁记录层之间,且包括:反铁磁层;分别形成在该反铁磁层之上和之下且通过交换偏置而在彼此相反的方向上具有单向磁各向异性的第一磁层和第二磁层;至少在该第一磁层和该第二磁层中的一个磁层上形成的非磁性层;以及形成在该非磁性层上且与其上形成有该非磁性层的该第一磁层和第二磁层中的至少一个反铁磁结合从而具有单轴磁各向异性的第三磁层,其中该第一磁层比该第二磁层更远离所述衬底,且其中该第二磁层具有比该第一磁层的饱和磁化强度大的饱和磁化强度。 |
地址 |
韩国京畿道 |