发明名称 | 数据锁存电路以及显示器件 | ||
摘要 | 本发明提供一种数据锁存电路,其能够通过低幅度的信号稳定工作,消耗较少的电能并能够抵抗TFT中的变化。当模拟开关开启时,数据信号输入到n沟道TFT的栅极电极,此时VDD被提供给反相器的输入端。当模拟开关关闭时,n沟道TFT根据数据信号的电平而导通或截止。当数据信号是H电平时,n沟道TFT导通,VSS被提供给反相器的输入端。当数据信号是L电平时,VDD被提供给反相器的输入端。因此,仅有VDD和VSS电平被提供给反相器的输入端。 | ||
申请公布号 | CN1855186B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
申请号 | CN200610077259.1 | 申请日期 | 2006.04.28 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 纳光明;上野达郎 |
分类号 | G09G3/20(2006.01)I | 主分类号 | G09G3/20(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 张浩 |
主权项 | 一种数据锁存电路,包括:第一n沟道晶体管;串联连接到第一n沟道晶体管的第二n沟道晶体管;第一p沟道晶体管;第二p沟道晶体管;第一模拟开关;第二模拟开关;第三模拟开关;和反相器;其中第二n沟道晶体管的栅极电极与第一p沟道晶体管的栅极电极彼此连接,其中第一p沟道晶体管的第一电极和第二p沟道晶体管的第一电极连接到第一电源,其中第二n沟道晶体管的第一电极连接到第二电源,其中第二n沟道晶体管的第二电极连接到第一n沟道晶体管的第一电极,其中第一n沟道晶体管的第二电极、第一p沟道晶体管的第二电极、反相器的输入端和第二p沟道晶体管的第二电极彼此连接,其中第二模拟开关和第三模拟开关的输入端和输出端之一都连接到反相器的输出端,其中第二模拟开关的输入端和输出端中的另一个连接到第二p沟道晶体管的栅极电极,第三模拟开关的输入端和输出端中的另一个连接到第一n沟道晶体管的栅极电极,其中第一n沟道晶体管的栅极电极连接到第一模拟开关的输入端和输出端之一,并且其中输入信号输入到第一模拟开关的输入端和输出端中的另一个。 | ||
地址 | 日本神奈川 |