| 发明名称 | 过电流保护元件 | ||
| 摘要 | 本发明的过电流保护元件包含二个金属箔片以及一叠设于所述二个金属箔片间的PTC材料层。所述PTC材料层主要包含一高分子聚合物基材和一导电填料，其中所述高分子聚合物基材至少包含一第一结晶性高分子聚合物(例如LDPE)和一第二结晶性高分子聚合物(例如PVDF)，所述第二结晶性高分子聚合物的熔点高于所述第一结晶性高分子聚合物的熔点至少50℃。所述导电填料为选择体积电阻值小于500mΩ-cm的金属颗粒或无氧陶瓷粉末，其散布于所述高分子聚合物基材中。所述PTC材料层的体积电阻值小于0.1Ω-cm，且当电阻增加为初始阻值Ri的1000倍时(即触发时)，其温度减去所述第一结晶性高分子聚合物的熔点小于15℃。 | ||
| 申请公布号 | CN101026029B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200610008303.3 | 申请日期 | 2006.02.17 |
| 申请人 | 聚鼎科技股份有限公司 | 发明人 | 王绍裘;游志明;罗国彰 |
| 分类号 | H01C7/02(2006.01)I;H01C7/13(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 一种过电流保护元件，包含：二个金属箔片；以及一正温度系数材料层，叠设于所述二个金属箔片之间，其包含：(1)一高分子聚合物基材，其至少包含一第一结晶性高分子聚合物和一第二结晶性高分子聚合物，所述第二结晶性高分子聚合物的熔点高于所述第一结晶性高分子聚合物的熔点至少50℃；和(2)一导电填料，散布于所述高分子聚合物基材中，且其体积电阻值小于500μΩ-cm；其中所述PTC材料层的体积电阻值小于0.1Ω-cm，且当其电阻增加为初始阻值的1000倍时的温度减去所述第一结晶性高分子聚合物的熔点小于15℃。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||