Verbesserung der Verspannungsübertragung in Transistoren durch eine späte Gaterekristallisierung

摘要

Es wird eine Gateelektrodenstruktur eines Transistors so hergestellt, dass diese eine hohe Kristallqualität an der Grenzfläche aufweist, die mit einem Gatedielektrikumsmaterial gebildet ist, während obere Bereiche der Gateelektrode eine geringere Kristallqualität besitzten. In einer späteren Fertigungsphase nach dem Einrichten eines oder mehrerer verformungsinduzierender Mechanismen wird die Gateelektrode rekristallisiert, wodurch eine erhöhte Verspannungsübertragungseffizienz erreicht wird, was sich wiederum in einem besseren Transistorverhalten ausdrückt.