| 发明名称 | 利用离子束注入晶片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种利用离子束注入晶片的方法和用于晶片的离子注入的装置，该晶片是具有圆盘形状并具有直径和中心的表面区域之类型。该方法包括：形成入射到该晶片上的离子束；以移动速度沿与该离子束交叉的路径移动该晶片盘的中心；同时以旋转速度基本上绕该中心旋转该晶片；在旋转该晶片的同时使该晶片倾斜，使得该离子束以相对于该晶片的晶轴基本上恒定的角度注入该表面区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1992169B | 申请公布日期 | 2010.05.12 |
| 申请号 | CN200610131831.8 | 申请日期 | 2001.03.27 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 唐纳德·W·贝里亚 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 夏青 |
| 主权项 | 一种利用离子束注入晶片的方法，该晶片是具有圆盘形状并具有直径和中心的表面区域的类型，该方法包括以下步骤：形成入射到该晶片上的离子束；以移动速度沿与该离子束交叉的路径移动该晶片盘的中心；同时以旋转速度绕该中心旋转该晶片；在旋转该晶片的同时使该晶片倾斜，使得该离子束以相对于该晶片的晶轴恒定的角度注入该表面区域。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||