增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力之环礁式静电释放方法

摘要

本发明之增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力之环礁式静电释放方法，增加静电荷之释放路径以增强晶粒抗反偏压静电损害能力，于检光器晶粒四周增加释放静电路径为P型金属层、降低电阻区、P型半导体区、i型光吸收层、N型缓冲层、N型基板、N型金属层，疏导大部份静电荷于晶粒四周释放，以避免大部份静电荷集中于晶粒中间贯穿而造成晶粒损害，达到增强晶粒抗反偏压静电损害能力者。

主权项

一种增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力之环礁式静电释放方法；其中：首先施予反偏压静电来模拟大量静电贯穿晶粒，将负静电荷施予最上层P型金属层及接地最下层N型金属层，此时为反偏压状态，于检光器晶粒四周增加释放静电路径之P型金属层会疏导大部份负静电荷，接着，大部份负静电荷通过晶粒四周的降低电阻区、P型半导体区、i型光吸收层、N型缓冲层、N型基板、N型金属层透过接地释放大部份负静电荷，以避免全部静电荷集中于晶粒中间贯穿而造成晶粒损害，达到增强晶粒抗反偏压静电损害能力，则此晶粒于使用时具有抗大量静电损害之能力者。