发明名称 正型光阻组成物及光阻图型之形成方法
摘要 本发明为提供一种正型光阻组成物,其为含有经由酸之作用而增大硷溶解性之基材成份(A),与经由曝光发生酸之酸产生剂成份(B)之正型光阻组成物,其中,前述基材成份(A)为,含有具有2个以上酚性羟基之分子量300至2500之多元酚化合物(a)中,前述酚性羟基被酸解离性溶解抑制基所保护之化合物(A1),且前述化合物(A1)为,每一分子之保护数(个)之标准误差(σn)未达1,或每一分子之保护率(莫耳%)之标准误差(σp)未达16.7者。
申请公布号 TWI324708 申请公布日期 2010.05.11
申请号 TW095116747 申请日期 2006.05.11
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 广崎贵子;盐野大寿;平山拓
分类号 G03F7/039;H01L21/027 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人 林志刚
主权项 一种正型光阻组成物,其为含有经由酸之作用而增大硷溶解性之基材成份(A),与经由曝光发生酸之酸产生剂成份(B)之正型光阻组成物,其特征为,前述基材成份(A)为含有,具有2个以上酚性羟基,且分子量为300至2500之多元酚化合物(a)中,前述酚性羟基被酸解离性溶解抑制基所保护之化合物(A1),(A)成份中,化合物(A1)之比例超过40质量%,且,前述化合物(A1)为,每一分子之保护数(个)之标准误差(σn)为未达1者,前述多元酚化合物(a)为由下述式(I)、(II)、或(III)所示化合物所成群中所选出之至少1种,[式(I)中,R11至R17分别独立为碳数1至10之烷基,或芳香族烃基,其结构中可含有杂原子;g、j分别独立为1以上之整数,k、q为0或1以上之整数,且g+j+k+q为5以下;h为1以上之整数,l、m分别独立为0或1以上之整数,且h+l+m为4以下;i为1以上之整数,n、o分别独立为0或1以上之整数,且i+n+o为4以下;p为0或1;X为下述式(Ia)或式(Ib)所示之基](式(Ia)中,R18、R19分别独立为碳数1至10之烷基或芳香族烃基,其结构中可含有杂原子;r、y、z分别独立为0或1以上之整数,且r+y+z为4以下)[式(II)中,R21至R26分别独立为碳数1至10之烷基,或芳香族烃基,其结构中可含有杂原子;d’、g’分别独立为1以上之整数,h’为0或1以上之整数,且d’+g’+h’为5以下;e’为1以上之整数,i’、j’分别独立为0或1以上之整数,且e’+i’+j’为4以下;f’、k’分别独立为1以上之整数,l’为0或1以上之整数,且f’+k’+l’为5以下;q’为1至20之整数][式(III)中,R31至R38分别独立为碳数1至10之烷基,或芳香族烃基,其结构中可含有杂原子;a”、e”分别独立为1以上之整数,f”为0或1以上之整数,且a”+e”+f”为5以下;b”、h”分别独立为1以上之整数,g”为0或1以上之整数,且b”+h”+g”为5以下;c”、i”分别独立为1以上之整数,j”为0或1以上之整数,且c”+i”+j”为5以下;d”为1以上之整数,k”、l”分别独立为0或1以上之整数,且d”+k”+l”为3以下]。
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