图案形成方法

摘要

本发明之目的系提供一种不会增加被覆形成剂之洗濯处理等步骤数，而可以将光阻图案之开口尺寸做的更小，实现进一步细微加工之图案形成方法。本发明之图案形成方法，其系于被处理基板10上形成下层有机膜11及含有无机元素的上层光阻膜12，藉由于光阻膜12上曝光图案后进行显影处理，形成第1光阻图案21，再藉由对形成有第1光阻图案21之光阻膜12供给被覆形成剂31，于光阻膜12之开口内埋入形成被覆膜32，接着，藉由使被覆膜32热收缩，狭小化光阻膜12的开口而形成第2光阻图案22，再藉由氧电浆处理去除被覆膜32，同时以光阻膜12为遮罩选择性地去除下层膜11，一起加工被覆膜32及下层膜11。

主权项

一种图案形成方法，其特征在于包含以下步骤：于被处理基板上形成下层有机膜之步骤；于前述有机膜上形成含有无机元素的上层光阻膜之步骤；藉由于前述光阻膜曝光期望之图案后，进行显影处理，于前述光阻膜形成开口之步骤；藉由对前述形成有开口之光阻膜供给被覆形成剂，于前述光阻膜之开口内埋入形成被覆膜之步骤；藉由使前述被覆膜热收缩，狭窄化前述光阻膜之开口之步骤；及藉由乾蚀刻处理去除前述被覆膜，同时以前述光阻膜作为遮罩选择性去除前述有机膜，一起加工前述被覆膜及有机膜之步骤。