| 发明名称 |
低介电常数介电层的形成方法、修补含碳之低介电常数介电层之损害的方法及于低介电常数介电层中形成镶嵌内连线的方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种低介电常数介电层的形成方法，包括：形成一材料层于一基底上，材料层包括一生孔剂散布于一未固化的基材中；以具有一第一波长之放射线照射材料层使未固化的基材内形成细孔；以及以一具有第二波长之放射线照射材料层。 |
| 申请公布号 |
TWI324805 |
申请公布日期 |
2010.05.11 |
| 申请号 |
TW096100901 |
申请日期 |
2007.01.10 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈奕伊;包天一;郑双铭;余振华 |
| 分类号 |
H01L21/31;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/31 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种低介电常数介电层的形成方法，包括：形成一材料层于一基底上，该材料层包括一生孔剂散布于一未固化的基材中；以具有一第一波长之放射线照射该材料层使该未固化的基材内形成细孔；以及以一具有第二波长之放射线照射该材料层，其中该第二波长小于该第一波长。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
