形成半导体元件之细微图案的方法

摘要

一种制造半导体元件之细微图案的方法，其包括：在下底层上形成一厚度为t1的硬光罩图案；在该硬光罩图案上形成一厚度为t2的光可穿透薄膜；在该光可穿透薄膜上形成一光可吸收薄膜；在产生的结构上执行曝光制程而不使用曝光光罩，且控制曝光能量的量以使光达到深度T，其系从沈积在硬光罩图案之光可穿透薄膜的最顶端表面测量到下底层的顶端表面，其中t2

主权项

一种制造半导体元件之细微图案的方法，该方法包括：在下底层上形成具有一第一间距和厚度t1的硬光罩图案，该硬光罩图案含有一第一结构和一第二结构，该下底层系沈积在一半导体基材上；在该硬光罩图案和该下底层上形成一厚度为t2的光可穿透薄膜；在该光可穿透薄膜上形成一光可吸收薄膜，该光可吸收薄膜具有实质为平面的上表面；在该光可吸收薄膜、光可穿透薄膜、和硬光罩图案上执行曝光制程而不使用曝光光罩，该曝光制程涉及控制曝光能量的量以使光达到深度T，其系从沈积在硬光罩图案之光可穿透薄膜的最顶端表面测量到到下底层的顶端表面，其中t2