发明名称 整合型第三族氮化物装置
摘要 一种第三族氮化物异质接面半导体装置,包含一功率电极系经由在其该异质接面中之一沟槽来电连接于一导电基材。
申请公布号 TWI324825 申请公布日期 2010.05.11
申请号 TW096100653 申请日期 2007.01.08
申请人 国际整流器公司 发明人 巴赫 罗伯特;布瑞德吉 保罗
分类号 H01L29/00 主分类号 H01L29/00
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项 一种第三族氮化物半导体装置,包含:一主动的第三族氮化物异质接面其含有一二维的电子气;一导电基材支撑该异质接面;一第一功率电极耦接于该异质接面;一第二功率电极耦接于该异质接面;一第三功率电极设在该第一与第二功率电极之间;一沟槽穿过该异质接面而位于该第三功率电极底下;一导电体设在该沟槽内而电连接于该基材和第三功率电极;一第一闸极装置介于该第一功率电极和第三功率电极之间;及一第二闸极装置介于该第二功率电极和第三功率电极之间。
地址 美国