半导体装置之制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置之制造方法，其包括：在一基板上形成一欲处理之薄膜；在该欲处理之薄膜上形成一光阻层；使用包括一传递图案之一倍缩光罩(reticle)将该传递图案传递至该光阻层，该传递图案具有一空间，在传递至该光阻层时，该空间之宽度变得比一最小处理空间宽度窄；在包括所传递之该传递图案之该光阻层上执行细化处理；以及将其上已执行该细化处理之该光阻层用作一遮罩来图案化该欲处理之薄膜。

主权项

一种半导体装置之制造方法，其包含：在一基板上形成一欲处理之薄膜；在该欲处理之薄膜上形成一光阻层；使用包括一传递图案之一倍缩光罩(reticle)将该传递图案传递至该光阻层，该传递图案具有一空间，在传递至该光阻层时，该空间之宽度变得比一最小处理空间宽度窄；在包括所传递之该传递图案之该光阻层上执行细化处理；以及将其上已执行该细化处理之该光阻层用作一遮罩来图案化该欲处理之薄膜。