于基板上沉积包括第IIIA族金属之薄膜之方法以及用于执行该方法之蒸气输送装置

摘要

本发明提供一种可用于制造化合物半导体的组成物。此外也提供使用此等组成物来制造化合物半导体的方法。

主权项

一种于基板上沉积包括第IIIA族金属之薄膜之方法，包括下列步骤：a)将为气相之具有式R3M的第IIIA族金属化合物(其中M为第IIIA族金属且各R独立地为(C1-C10)有机基团或氢)输送至装有基板的沉积室内；b)将催化量的气相催化剂化合物输送至装有基板的沉积室内；c)将第VA族气态化合物输送至装有基板的沉积室内；d)于沉积室内分解该第IIIA族金属化合物及该第VA族气态化合物，以及e)于基板上沉积包括第IIIA族金属的薄膜，其中该催化剂化合物系催化该第VA族气态化合物之分解且其中，该催化剂化合物系选自下列：具有式R1aMYb的化合物，其中，M为第IIIA族金属，各R1独立地选自(C1-C10)有机基团及氢，各Y独立地选自卤素及氢，a为从0至2的整数，b为从1至3的整数，且a+b=3；二乙基铍；正丁基锂；双(正丁基)镁、双(环戊二烯基)镁；双(乙基环戊二烯基)镍；四氯化钛；双(环戊二烯基)钌(RuCp2)；双(乙基苯基)钼(Mo(EtBz)2)；双(环戊二烯基)钴(CoCp2)；双(正丙基四甲基环戊二烯基)钡(Ba(nPrMe4Cp)2)；双(五甲基环戊二烯基)钙(Ca(Me5Cp)2)；双(四甲基庚二酸根)铜(Cu(TMHD)2)；双(环戊二烯基)铬(CrCp2)；参(环戊二烯基)铒(ErCp3)、双(环戊二烯基)铁(FeCp2)；二甲基(乙醯基丙酮酸根)金(Me2Au(acac))；参(环戊二烯基)镧(LaCp3)；双(环戊二烯基)锰(MnCp2)；双(环戊二烯基)钼(MoCp2)；双(环戊二烯基)锇(OsCp2)；三甲基(甲基环戊二烯基)钯(Me3Pd(MeCp))；三甲基(甲基环戊二烯基)铂(Me3Pt(MeCp))；双(乙醯基丙酮酸根)铑(Rh(acac)2)；(六氟乙醯基丙酮酸根)乙烯基三乙基矽烷银((hfacac)AgVTES)；双(正丙基四甲基环戊二烯基)锶(Sr(nPrMe4Cp)2)；(六氟乙醯基丙酮酸根)锶(Sr(hfacac))；氢化(异丙基环戊二烯基)钨((iPrCp)2WH2)；双(环戊二烯基)钒(VCp2)；双(乙基环戊二烯基)钒(V(EtCp)2)及参(正丁基环戊二烯基)钇(Y(nBuCp)3)；选自一级胺、二级胺及三级胺的含氮化合物；选自一级膦、二级膦及三级膦的含磷化合物；以及选自一级胂、二级胂及第三胂的含砷化合物，其中该催化剂化合物的含量，以该第IIIA族金属化合物为基准计，为≦5莫耳%。