包含具有改良结构稳定性及加强电容的半导体元件以及制造此半导体元件的方法

摘要

在一种包含具有改良结构稳定性及加强电容的半导体元件的制造方法中，一个接触窗区域会形成在半导体基底的表面部分上，在基底上形成一层铸造层以后，会形成一个稳定物件以包覆驻储存电极，一个接触窗开口会穿过铸造层形成以暴露出稳定物件的一个侧壁以及接触窗区域，储存电极会形成在暴露出来的接触窗区域上以及在稳定物件暴露出来的侧壁上，一层介电层与一个平板电极会接续的形成在储存电极上，此包括储存电极以及稳定物件的电容器可以改善结构稳定性，即使当电容器有非常高的高宽比时，还是可以避免力学的崩塌。

主权项

一电容器，包括：一储存电极，包括掺杂第一掺质的多晶矽；一介电层，形成于该储存电极上；一平板电极，形成于该介电层上；以及一稳定物件，固定在该储存电极的上方区域上以在结构上稳定该储存电极，该稳定物件包括掺杂第二掺质的多晶矽，其中该稳定电极与该稳定物件会彼此互相支撑。