发明名称 | 光感测元件及其制作方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种光感测元件,包括一图案化遮光导电层设于一透明基板上,以及一缓冲介电层、一图案化半导体层与一介电层依序设于该图案化遮光导电层上,其中图案化半导体层包括一本质区以及其两侧之一第一掺杂区与一第二掺杂区。本发明光感测元件另包括一图案化透光导电层设于介电层之上,覆盖本质区与第一掺杂区之交界处以及本质区与第二掺杂区之交界处,且该图案化透光导电层电性连接于图案化遮光导电层。 | ||
申请公布号 | TWI324832 | 申请公布日期 | 2010.05.11 |
申请号 | TW096139656 | 申请日期 | 2007.10.23 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 翁健森;赵志伟;林崇荣;金雅琴 |
分类号 | H01L31/105;H01L31/18 | 主分类号 | H01L31/105 |
代理机构 | 代理人 | 戴俊彦 | |
主权项 | 一种光感测元件,其包括:一图案化遮光导电层设于一透明基板上;一缓冲介电层设于该图案化遮光导电层上;一图案化半导体层设于该缓冲介电层上,该图案化半导体层包括一本质(intrinsic)区以及位于该本质区两侧之一第一掺杂区与一第二掺杂区;一介电层设于该图案化半导体层上;以及一图案化透光导电层设于该介电层之上,并覆盖该图案化半导体层之该本质区与该第一掺杂区之交界处以及该本质区与该第二掺杂区之交界处,且该图案化透光导电层电性连接于该图案化遮光导电层。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |