发明名称 晶圆薄化方法
摘要 一种晶圆薄化方法,提供一晶圆,该晶圆系具有一主动面及一背面,在该主动面上系可设有复数个突起元件,放置该晶圆于一模具内,并形成一高分子材料于该模具内,该高分子材料系至少覆盖该晶圆之该主动面,固化该高分子材料并移除该模具,之后,研磨该晶圆之该背面以薄化该晶圆,最后,移除该高分子材料以显露出该晶圆之该主动面与设置于该主动面之该些突起元件。该晶圆薄化方法系利用该模具使该高分子材料覆盖该晶圆之该主动面与包覆该些突起元件,使得研磨该晶圆时所产生之应力平均分布于该晶圆,以防止该晶圆翘曲、破片、崩裂或突起元件剥离。
申请公布号 TWI324802 申请公布日期 2010.05.11
申请号 TW096105993 申请日期 2007.02.16
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 蔡裕斌;黄正一
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 张启威
主权项 一种晶圆薄化方法,其系包含:提供一晶圆,该晶圆系具有一主动面、一背面及一在该主动面与该背面之间之侧面;放置该晶圆于一模具之一模穴内;形成一高分子材料于该模具内,该高分子材料系至少覆盖该晶圆之该主动面及该侧面;固化该高分子材料并移除该模具;研磨该晶圆之该背面;以及移除该高分子材料以显露该晶圆之该主动面。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号