发明名称 场发射元件及场发射装置之制造方法
摘要 本发明系有关于一种场发射元件之制造方法,其步骤包括:首先,提供一基板,其表面具有一图案化之闸极层。然后,于此基板表面形成一图案化之光阻层,此光阻层系形成一开口。接着,于此光阻层之开口内依序形成一阴极层及一场发射层。最后,移除光阻层。而可得到本发明之场发射元件。本发明更包括使用此场发射元件之场发射装置之制造方法。本发明系有效地提高场发射元件结构精确度、电子发射源精确度并提高显示器的解析度。
申请公布号 TWI324785 申请公布日期 2010.05.11
申请号 TW095149951 申请日期 2006.12.29
申请人 大同股份有限公司 TATUNG CO., LTD. 台北市中山区中山北路3段22号;财团法人工业技术研究院 新竹市光复路2段321号 发明人 李宏元;殷梅
分类号 H01J9/00 主分类号 H01J9/00
代理机构 代理人 吴冠赐;杨庆隆;林志鸿
主权项 一种场发射元件之制造方法,其步骤包括:提供一基板,其表面具有一图案化之闸极层;于该基板表面形成一图案化之光阻层,该光阻层系形成一开口;于该光阻层之该开口内依序形成一阴极层及一场发射层;以及移除该光阻层;其中,于该光阻层之该开口内系利用旋转涂布的方式形成该阴极层,以及于该光阻层之该开口内形成该阴极层后,系利用毛细现象将一亲水性之电子发射源溶液填满于该阴极层上。
地址 台北市中山区中山北路3段22号;新竹市光复路2段321号