发明名称 |
场发射元件及场发射装置之制造方法 |
摘要 |
本发明系有关于一种场发射元件之制造方法,其步骤包括:首先,提供一基板,其表面具有一图案化之闸极层。然后,于此基板表面形成一图案化之光阻层,此光阻层系形成一开口。接着,于此光阻层之开口内依序形成一阴极层及一场发射层。最后,移除光阻层。而可得到本发明之场发射元件。本发明更包括使用此场发射元件之场发射装置之制造方法。本发明系有效地提高场发射元件结构精确度、电子发射源精确度并提高显示器的解析度。 |
申请公布号 |
TWI324785 |
申请公布日期 |
2010.05.11 |
申请号 |
TW095149951 |
申请日期 |
2006.12.29 |
申请人 |
大同股份有限公司 TATUNG CO., LTD. 台北市中山区中山北路3段22号;财团法人工业技术研究院 新竹市光复路2段321号 |
发明人 |
李宏元;殷梅 |
分类号 |
H01J9/00 |
主分类号 |
H01J9/00 |
代理机构 |
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代理人 |
吴冠赐;杨庆隆;林志鸿 |
主权项 |
一种场发射元件之制造方法,其步骤包括:提供一基板,其表面具有一图案化之闸极层;于该基板表面形成一图案化之光阻层,该光阻层系形成一开口;于该光阻层之该开口内依序形成一阴极层及一场发射层;以及移除该光阻层;其中,于该光阻层之该开口内系利用旋转涂布的方式形成该阴极层,以及于该光阻层之该开口内形成该阴极层后,系利用毛细现象将一亲水性之电子发射源溶液填满于该阴极层上。 |
地址 |
台北市中山区中山北路3段22号;新竹市光复路2段321号 |