半导体装置之制造方法

摘要

一种使用支持体的半导体装置之制造方法，其目的在于不使制造步骤复杂化，谋求可靠度及良率之提高。该制造方法系将阻剂层或保护层(20)当作遮罩而依序蚀刻去除第2绝缘膜(9)、半导体基板(1)、第1绝缘膜(2)、及钝化膜(4)。利用该蚀刻，使接着层(5)的一部份在该开口部(21)内露出。在此时间点复数个半导体装置分割成个别的半导体晶片。接着，如第10图所示，透过开口部(21)对露出之接着层(5)供给溶解剂(25)(例如乙醇或丙酮)，且藉由使接着力慢慢降低以从半导体基板(1)剥离去除支持体(6)。

主权项

一种半导体装置之制造方法，其系准备表面上形成有垫电极之半导体基板，且具有：在上述垫电极上，形成用以与其他半导体装置之电极相连接之电极连接层的步骤；在上述半导体基板之表面上透过接着层而贴附支持体的步骤；在上述半导体基板形成穿孔的步骤；在上述穿孔中形成与上述垫电极电性连接之贯穿电极的步骤；形成覆盖在包含上述贯穿电极在内之上述半导体基板的背面上之保护层的步骤；局部去除上述半导体基板，使上述接着层局部露出的步骤；及藉由从上述接着层所露出之部位供给使上述接着层溶解之溶解剂，以使上述支持体从上述半导体基板分离的步骤。