| 摘要 |
Электронно-оптический преобразователь, содержащий фотокатод на основе GaAs-гетероэпитаксиальной структуры, микроканальную пластину, экран, источник питания, отличающийся тем, что фотокатод на основе GaAs-гетероэпитаксиальной структуры выполнен с просветляющим покрытием толщиной 760-800 Ǻ на основе SiO, буферным слоем толщиной 100-120 Ǻ, активным слоем толщиной 0,35-0,45 мкм. |
