发明名称 低成本大画面广视野角高速回应液晶显示装置
摘要 本发明是以3次的光微影步骤制造超大型广视野角超高速响应液晶显示装置。本发明是于使用半色调曝光技术形成栅极(Gate)电极、共享电极、像素电极及接触焊垫后,使用半色调曝光技术形成a-硅(Si)孤岛与接触孔。并使用普通曝光技术形成源极电极、漏极电极与配向控制电极。钝化层是使用遮蔽沉积(maskingdeposition)法,而以P-CVD法成膜,或是使用喷墨涂布法或喷涂法,通过在局部区域涂布保护层,可以3次光微影步骤制造超大型广视野角超高速响应液晶显示用TFT数组基板。
申请公布号 CN101552232A 申请公布日期 2009.10.07
申请号 CN200910134500.3 申请日期 2007.04.10
申请人 三国电子有限会社 发明人 田中荣;鲛岛俊之
分类号 H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L21/82(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿 宁;张华辉
主权项 1、一种FFS模式用主动矩阵基板的制造方法,该基板构成主动矩阵显示装置,其特征为:使用下述3次光微影步骤来制造:1)形成栅极电极、像素电极及像素电极内接触焊垫,2)形成薄膜半导体层组件分离、及接触孔,3)形成源极电极、漏极电极、像素中央共享电极及梳齿状共享电极,干式蚀刻薄膜晶体管的通道部的奥姆接触层后,使用屏蔽沉积法局部成膜硅氮化膜钝化层,不在栅极电极端子部、源极电极端子部及共享电极端子部上成膜。
地址 日本茨城县