发明名称 |
在半导体器件中使用的中点电势生成电路 |
摘要 |
本发明提供了一种在半导体器件中使用的中点电势生成电路。本发明的目的是改善启动在半导体器件中使用的中点电势生成电路时引起的缺陷。当电源电压VDD低于第一参考电压时,偏压生成电路提供接地电势作为偏置电压Vbias,并且将电容器C1和C2的中点电势设置为接地电势。当电源电压VDD等于或高于第一参考电压时,偏压生成电路提供电源电压VDD作为偏置电压Vbias。当偏置电压Vbias等于或高于第二参考电压时,偏压生成电路向电容器C1和C2的节点提供通过对升压电源电路的电源电压VPP分压而得到的电压作为偏置电压Vbias。 |
申请公布号 |
CN100547680C |
申请公布日期 |
2009.10.07 |
申请号 |
CN200510053842.4 |
申请日期 |
2005.03.11 |
申请人 |
富士通微电子株式会社 |
发明人 |
山崎雅文;竹内淳 |
分类号 |
G11C11/4074(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/4074(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
赵淑萍 |
主权项 |
1.一种在半导体器件中使用的中点电势生成电路,包括:升压电源电路,所述升压电源电路将第一电源电压升压至第二电源电压,并将所述第二电源电压提供给所述半导体器件的内部电路;至少第一和第二电容器,所述第一和第二电容器串联连接;和偏压提供电路,所述偏压提供电路在启动时将所述第一和第二电容器之间的中点电势设置为接地电势或负电势,当所述第一电源电压等于或高于第一参考电压时向所述第一和第二电容器之间的节点提供所述第一电源电压作为中点电势,并且当所述第一和第二电容器之间的节点的中点电势等于或高于第二参考电压时向所述第一和第二电容器之间的节点提供预定电压作为中点电势,其中所述预定电压是从输出自所述升压电源电路的所述第二电源电压分压得到的。 |
地址 |
日本东京都 |