薄膜转移工艺中快速释放牺牲层的方法

摘要

本发明公开了一种薄膜转移工艺中快速释放牺牲层的方法，通过划片机在微桥阵列背面划出深槽，达到快速去除牺牲层目的。本发明工艺方法大大减少牺牲层的释放时间，避免采用常规牺牲层释放过程因时间过程太长出现的问题，进一步完善薄膜转移方法。

主权项

1.一种薄膜转移工艺中快速释放牺牲层的方法，其特征在于：它包括如下步骤：A.在衬底上制备厚度20μm聚酰亚胺作为牺牲层，在400℃氮气保护下亚胺化1小时，在牺牲层上制备微桥阵列；B.在微桥阵列的引线口及电路引线口分别淀积粘附层铬金层，采用剥离工艺制备直径10μm，高度10μm铟柱，然后将微桥阵列衬底翻转与读出电路对准，互连；C.采用划片机，以0.1mm为间隔，在微桥阵列背面划出深槽，槽的宽度为40μm，深度由微桥阵列衬底的厚度和牺牲层的厚度确定，使糟的底部在聚酰亚胺牺牲层的厚度的一半处；D.去除牺牲层，使微桥衬底直接和微桥阵列分离。