| 发明名称 | 在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，包括：A.在已进行发射极、基极金属以及集电极台面腐蚀的基片上，旋涂光刻胶，光刻、显影，制作集电极金属图形；B.蒸发集电极金属；C.剥离集电极金属；D.进行接线柱图形的光刻；E.蒸发接线柱金属；F.剥离接线柱金属。利用本发明，由于将基极、集电极接线柱的工艺通过一次工艺完成，节省了大量的人力和物力，所以简化了制作工艺，降低了制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101552199A | 申请公布日期 | 2009.10.07 |
| 申请号 | CN200810103229.2 | 申请日期 | 2008.04.02 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 金智;刘新宇 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种在异质结双极性晶体管HBT工艺中同时制作基极和集电极接线柱的方法，其特征在于，该方法包括：A、在已进行发射极、基极金属以及集电极台面腐蚀的基片上，旋涂光刻胶，光刻、显影，制作集电极金属图形；B、蒸发集电极金属；C、剥离集电极金属；D、进行接线柱图形的光刻；E、蒸发接线柱金属；F、剥离接线柱金属。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||