一种测试加速度,压力和温度的集成硅芯片及制作方法

摘要

本发明涉及一种测试加速度，压力和温度的集成硅芯片及制作方法，其特征是同一套微加工工艺将热电堆的加速度传感器、压力传感器和温度传感器制作在一个芯片上。采用热对流式的加速度传感器，是用多晶硅电阻作为加热器，用两对金属(铝、钛钨金等)和P型多晶硅或N型构成热电堆检测由加速度引起的密封空腔内的温度差，来检测加速度。用低应力的氮化硅薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条，在LPCVD炉中用TEOS栓形成真空参考腔，制作出高精度的绝对压力传感器。同时用多晶硅热敏电阻来检测温度变化，构成温度传感器。此集成芯片实现微型化和低成本化，具有精度高，可靠性好，稳定性佳等优点。

主权项

1、一种测试加速度，压力和温度的集成硅芯片，其特征在于所述的集成硅芯片上包括基于热电堆的加速度传感器、绝对压力传感器和温度传感器；采用LPCVD在硅片上淀积的低应力氮化硅薄膜同时作为绝对压力传感器的结构层、热电堆加速度传感器和温度传感器的支撑层；其中，所述的热电堆的加速度传感器中，加热器由多晶硅电阻构成，悬于密封腔的中间，两对金属和P型多晶硅或N型多晶硅组成的热电堆等距离对称地放置在加热器的两侧；所述的绝对压力传感器中，多晶硅薄膜淀积在低应力的氧化硅薄膜上，干法腐蚀制作形成力敏电阻条；牺牲层是由低温氧化硅和掺磷的氧化硅两层薄膜组成；所述的温度传感器采用掺杂的多晶硅电阻自身的热敏效应，电阻线性的变化值来检测温度变化值。