一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法

摘要

本发明涉及化合物半导体材料、器件技术领域的一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法。为了解决现有ZnO纳米线场效应晶体管工作电流小、与实际应用有较大差距的问题，本发明提供一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其步骤包括介质生长、背栅电极制作、底层源漏电极制作、使用交流双向介电电泳技术初步固定ZnO纳米线、使用基于AFM的纳米操控技术精确操控ZnO纳米线、顶层源漏电极制作。本发明将多根ZnO纳米线作为并联沟道并悬浮于空中，能够大幅度提高器件的电流、跨导、截止频率等器件性能以及紫外、气体、化学传感性能。

主权项

1.一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法，其制作方法步骤如下：(1)在衬底上表面生长介质；(2)在衬底背面制作背栅电极；(3)在介质上表面制作底层源漏电极；(4)对ZnO纳米线进行初步定位；(5)通过纳米操控技术将ZnO纳米线放置在底层源漏电极上；(6)在底层源漏电极上制作顶层源漏电极。