| 发明名称 | 制备大面积多晶硅方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种利用真空紫外灯照射制备大面积多晶硅的方法，其特征是将载带有非晶硅薄膜的衬底，置于真空或不活泼气氛环境中加热，并接受真空紫外灯辐射光照射，使其晶化转化成多晶硅。较现有激光晶化法具有：灯光照射面积大，速率快、晶化转化时间短，例如4英寸直径面积的非晶硅转化成多晶硅小于一小时，且辐射均匀性好，不仅很容易实现大面积多晶硅薄膜制备，而且可以确保大面积制备均匀性及重复性，所得多晶硅薄膜均匀性好，重复性高。并且照射设备简单，成本低，操作维修简便。 | ||
| 申请公布号 | CN100543934C | 申请公布日期 | 2009.09.23 |
| 申请号 | CN200710149348.7 | 申请日期 | 2007.08.23 |
| 申请人 | 余建军 | 发明人 | 余建军 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;C30B28/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 宜兴市天宇知识产权事务所 | 代理人 | 史建群;李妙英 |
| 主权项 | 1、制备大面积多晶硅方法，包括在衬底上制备非晶硅薄膜，其特征在于将载带有非晶硅薄膜的衬底，置于真空或不活泼气氛环境中加热，并接受真空紫外灯辐射光照射，使其晶化转化成多晶硅。 | ||
| 地址 | 214205江苏省宜兴市环科园绿园路48号 | ||