发明名称 |
一种斜面光接收的光电探测器 |
摘要 |
本发明涉及光互联通信的光电探测器件技术领域,公开了一种斜面光接收的光电探测器,该光电探测器光接收的有源区位于半导体衬底被腐蚀后形成的V型槽的一个斜面上,有源区从斜面表面向外依次包括缓冲层、n型欧姆接触层、本征层和p型欧姆接触层,有源区的上表面为单电极或双电极。本发明提供的斜面光接收的光电探测器,有源区位于器件的斜面上,能够与各种类型的电路板上的光波导实现直接光路耦合,不需要光路传输方向的转变,形成简便高效的光探测接收端,简化了光路的耦合对准。由于不需要光路传输方向的转变,因而也就不需要精密的光路对准装置,使得工艺和对准的难度大大降低,成本下降,并减少了光损耗,提高了耦合效率。 |
申请公布号 |
CN100544039C |
申请公布日期 |
2009.09.23 |
申请号 |
CN200710099874.7 |
申请日期 |
2007.05.31 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
申华军;李志华;杨成樾;万里兮;李宝霞 |
分类号 |
H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/105(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1、一种斜面光接收的光电探测器,其特征在于,该光电探测器光接收的有源区位于半导体衬底被腐蚀后形成的V型槽的一个斜面上,有源区从斜面表面向外依次包括缓冲层、n型欧姆接触层、本征层和p型欧姆接触层,有源区的p型欧姆接触层的上表面为单电极或双电极。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号 |