发明名称 一种斜面光接收的光电探测器
摘要 本发明涉及光互联通信的光电探测器件技术领域,公开了一种斜面光接收的光电探测器,该光电探测器光接收的有源区位于半导体衬底被腐蚀后形成的V型槽的一个斜面上,有源区从斜面表面向外依次包括缓冲层、n型欧姆接触层、本征层和p型欧姆接触层,有源区的上表面为单电极或双电极。本发明提供的斜面光接收的光电探测器,有源区位于器件的斜面上,能够与各种类型的电路板上的光波导实现直接光路耦合,不需要光路传输方向的转变,形成简便高效的光探测接收端,简化了光路的耦合对准。由于不需要光路传输方向的转变,因而也就不需要精密的光路对准装置,使得工艺和对准的难度大大降低,成本下降,并减少了光损耗,提高了耦合效率。
申请公布号 CN100544039C 申请公布日期 2009.09.23
申请号 CN200710099874.7 申请日期 2007.05.31
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 申华军;李志华;杨成樾;万里兮;李宝霞
分类号 H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I 主分类号 H01L31/105(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周国城
主权项 1、一种斜面光接收的光电探测器,其特征在于,该光电探测器光接收的有源区位于半导体衬底被腐蚀后形成的V型槽的一个斜面上,有源区从斜面表面向外依次包括缓冲层、n型欧姆接触层、本征层和p型欧姆接触层,有源区的p型欧姆接触层的上表面为单电极或双电极。
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