发明名称 |
一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种二次掩模版薄膜晶体管液晶显示器像素结构的方法,该像素结构包括:依次位于透明基板上的栅电极、栅线、第一绝缘层、半导体层、掺杂半导体层,其中,栅线上有一隔断槽,其隔断栅线上的半导体层;还包括覆盖在隔断槽及栅线和栅电极外的玻璃基板上的第二绝缘层;位于第二绝缘层上方,且在形成漏电极的位置与栅电极上的掺杂半导体层搭接的像素电极或漏电极;位于所保留的像素电极层上方的源极或数据线,及覆盖在像素电极之外部分的钝化层。本发明同时还公开该像素结构的制造方法,采用二次掩模版形成上述像素结构。利用本发明,可以实现二次掩模版制作薄膜晶体管液晶显示器像素结构,因此节约阵列工艺的成本和占机时间,提高产能。 |
申请公布号 |
CN101539697A |
申请公布日期 |
2009.09.23 |
申请号 |
CN200810102479.4 |
申请日期 |
2008.03.21 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
邱海军;王章涛;闵泰烨 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/136(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京汇泽知识产权代理有限公司 |
代理人 |
张颖玲;王黎延 |
主权项 |
1、一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构,其特征在于,该结构包括:形成于一透明基板上的一栅线和一栅电极;依次形成于栅线和栅电极上方的一第一绝缘层、一半导体层和一掺杂半导体层;其中,栅线上有一隔断槽,该隔断槽隔断栅线上的半导体层;覆盖在所述隔断槽及没有形成栅线和栅电极的基板上的一第二绝缘层;形成于所述第二绝缘层上的一像素电极,该像素电极与漏极呈一体,且在形成漏极的位置与栅电极上的掺杂半导体层搭接;形成于掺杂半导体层上方的一数据线兼源极;形成于所述源极和漏极之间的沟道。 |
地址 |
100176北京市经济技术开发区西环中路8号 |