垂直发光二极管及其使用触止层制作垂直发光二极管的方法

摘要

本发明提供了一个使用触止层的垂直结构氮化镓基LED及其制作垂直氮化镓基LED的方法。本发明实施例使用机械去削和多个超硬触止点而高确定性地去除外延层。依照一个实施例，制作一个垂直LED的方法包括在蓝宝石基板上形成多个层，在多个层里形成多个触止点，使用机械去削去除蓝宝石基板和部分u-GaN层，其中机械去削在多个触止点的末端停止，选择性地蚀刻u-GaN层，露出至少一部分高掺杂的触止层，并在高掺杂的触止层上形成一个n-电极。

主权项

1.一个垂直结构氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)，包括：一个传导基板；一个在传导基板上形成的p-型GaN层；一个在p-型GaN层上形成的活性层；一个在活性层上形成的n-型GaN层；一个在n-型GaN上形成的高掺杂的触止层；多个触止点，其中p-型GaN层、活性层、n-型GaN层、以及高掺杂的触止层是多个层，多个触止点形成在多个层里；和一个在高掺杂的触止层上形成的n-电极。