| 发明名称 | 沟槽栅场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管，包括在第二传导类型的半导体区之上的第一传导类型的主体区。栅沟槽延伸穿过主体区并且在半导体区中终止。至少一个导电保护电极被置于栅沟槽中。栅极被置于在至少一个导电保护电极之上但是与其隔离开的栅沟槽中。保护电介质层将至少一个导电保护电极与半导体区隔离开。栅电介质层将栅极与主体区隔离开。这样形成保护电介质层，以使其向外张开并且直接在主体区之下延伸。 | ||
| 申请公布号 | CN101542731A | 申请公布日期 | 2009.09.23 |
| 申请号 | CN200680018443.7 | 申请日期 | 2006.05.24 |
| 申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 哈姆扎·耶尔马兹;丹尼尔·卡拉菲特;克里斯托弗·博古斯瓦·科考恩;史蒂文·P·萨普;迪安·E·普罗布斯特;内森·L·克拉夫特;托马斯·E·格雷布斯;罗德尼·S·里德利;加里·M·多尔尼;布鲁斯·D·马钱特;约瑟夫·A·叶季纳科 |
| 分类号 | H01L27/102(2006.01)I;H01L29/76(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L31/119(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/102(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;李丙林 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管，包括：在第二传导类型的半导体区之上的第一传导类型的主体区；延伸穿过所述主体区并且在所述半导体区内终止的栅沟槽；至少一个置于所述栅沟槽中的导电保护电极；置于所述至少一个导电保护电极之上但是与所述导电保护电极隔离开的栅极；将至少一个导电保护电极与所述半导体区隔离开的保护电介质层；以及将所述栅极与所述主体区隔离开的栅电介质层，其中所述保护电介质层向外张开并且直接在所述主体区之下延伸。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||