| 发明名称 | 积层型压电元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种即使在高电场、高压力的环境下长时间连续驱动的情况下，变位量也并不变化、耐久性好的积层型压电元件；所述压电体层以PbZrO<sub>3</sub>-PbTiO<sub>3</sub>为主成分，Si含有量为5ppm以上且不足100ppm，所述Si向晶体晶粒边界偏析。 | ||
| 申请公布号 | CN101540367A | 申请公布日期 | 2009.09.23 |
| 申请号 | CN200910130272.2 | 申请日期 | 2004.09.22 |
| 申请人 | 京瓷株式会社 | 发明人 | 冈村健;坂上胜伺;近藤光央 |
| 分类号 | H01L41/083(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I;H01L41/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L41/083(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种积层型压电元件，其交替地积层压电体层与内部电极层而构成，其特征在于，所述压电体层以PbZrO3-PbTiO3为主成分，Si含有量为5ppm以上且不足100ppm，所述Si向晶体晶粒边界偏析。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||