发明名称 基板处理系统和方法
摘要 本发明提供一种在能够单层式或双层式的一个以上基板处理腔室混合存在的多腔室型基板处理系统中提高生产率的基板处理装置和方法。根据处理腔室的种类和基板的处理,使用从两个搬送臂同时进入和退出进行基板搬入搬出的第一顺序、以两个搬送臂在互相不同的时刻进入进行搬入搬出的第三顺序和在同时进行搬入和搬出基板的第一和第三顺序之间的第二顺序中选取的最适宜的基板搬入搬出方法。
申请公布号 CN100543957C 申请公布日期 2009.09.23
申请号 CN200610154362.1 申请日期 2006.09.22
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 白岩裕嗣
分类号 H01L21/677(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I;B65G49/05(2006.01)I;B65G49/06(2006.01)I;B65G49/07(2006.01)I 主分类号 H01L21/677(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人 龙 淳
主权项 1. 一种基板处理系统,其特征在于:所述基板处理系统是多腔室型基板处理系统,具备:对基板进行处理的处理腔室、以及使用能够分别将基板保持的两个臂来将基板搬入搬出该处理腔室的搬送装置,其中,所述处理腔室为单层式或双层式的一个以上处理腔室混合存在,所述基板处理系统,包括:第一腔室,经由使所述两个臂能够同时进入的闸阀连接于所述搬送装置,具备将两片基板同时支撑的固定式的双层式的基板支撑机构;第二腔室,经由仅使所述两个臂中的一个臂能够进入的闸阀连接于所述搬送装置,具备将一片基板支撑的单层式的基板支撑机构;以及第三腔室,经由使所述两个臂能够同时进入的闸阀连接于所述搬送装置,具备将两片基板同时支撑并能够调整上下位置的双层式的基板支撑机构,所述第二腔室通过多晶硅表层氧化和CVD形成氧化膜,所述第三腔室是进行退火处理的基板处理腔室,所述搬送装置,对所述第三腔室使所述两个臂同时进入,同时进行用所述两个臂中的一个臂搬出基板的工序和用另一个臂搬入基板的工序,并且,对所述第一和第二腔室能够进行切换,在互相不同的时刻进行用所述两个臂中的一个臂搬出基板的工序和用另一个臂搬入基板的工序。
地址 日本东京