CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

一种CMOS图像传感器及其制造方法。在示例性实施方式中，CMOS图像传感器包括：场区以及有源区，第二导电底区，第一导电阱区，第二导电顶区，以及第一导电高浓度区。场区以及有源区是在第一导电半导体衬底中形成的。第二导电底区具有在部分有源区中的第一深度。第一导电阱区形成在有源区中。第二导电顶区具有小于第一深度的深度。第一导电高浓度区具有小于第二导电顶区深度的深度。

主权项

1. 一种CMOS图像传感器，包括：场区以及有源区，都形成于第一导电半导体衬底中；第二导电底区，在部分所述有源区中具有第一深度；第一导电阱区，形成于所述有源区中并包围所述第二导电底区；第二导电顶区，在所述有源区中具有小于所述第一深度的深度；以及第一导电高浓度区，在包括所述第二导电顶区的所述半导体衬底的整个表面具有小于所述第二导电顶区所述深度的深度，其中，所述第二导电底区是通过注入第二导电杂质离子而形成的，其中该第二导电杂质离子的浓度高于所述第一导电半导体衬底的杂质浓度并低于所述第一导电阱区的杂质浓度。