发明名称 染料敏化太阳能电池光阳极及其制备方法
摘要 本发明涉及染料敏化太阳能电池材料领域,尤其涉及一种纳米多孔二氧化钛光阳极及其制备方法。本发明在导电基底上制备TiO<sub>2</sub>纳米多孔薄膜,用金属化合物对该膜进行表面修饰后,再吸附染料,通过金属化合物层的修饰,形成表面势垒、提高半导体能级、抑制表面态等不同机理,大大改善电池的光电转换性能,提高太阳能电池的光电转换效率。本发明经过金属化合物层的修饰,染料敏化太阳能电池的光电转换效率普遍提高10%-20%,可作为电极广泛应用于太阳能电池领域。
申请公布号 CN100544035C 申请公布日期 2009.09.23
申请号 CN200710090556.4 申请日期 2007.04.12
申请人 清华大学;北京索尔泰克能源技术研究所 发明人 邱勇;吴学明;王立铎;吴骅
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01M14/00(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 北京安博达知识产权代理有限公司 代理人 徐国文
主权项 1、一种制备纳米多孔染料敏化太阳能电池光阳极的方法,其步骤包括:a)制备金属化合物修饰的宽禁带纳米多孔半导体薄膜将颗粒尺寸为2-100纳米,1-50微米厚的宽禁带纳米多孔半导体薄膜在0.05-1摩尔/升Ba(0H)2或0.02摩尔/升Ca(OH)2溶液中浸泡1秒至12小时,取出晾干,放置于空气中0.5-6小时,得到金属化合物修饰的宽禁带纳米多孔半导体薄膜;b)金属化合物修饰纳米多孔半导体薄膜的烧结将a步骤所得到的宽禁带纳米多孔半导体薄膜在100-600℃下烧结5分钟-12小时;c)敏化金属化合物修饰的宽禁带纳米多孔半导体薄膜将b步骤所得到的金属化合物修饰的宽禁带纳米多孔半导体薄膜在10-5-10-3摩尔/升染料的有机溶剂中浸泡30分钟-24小时。
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