高边NLDMOS结构

摘要

本发明公开了一种高边NLDMOS结构。本发明在原有高边NLDMOS的基础上，将原来在P衬底(201)与N型外延(203)之间的全区段的N型埋层(202)改为部分区段的N型埋层(202)。一般来说，N型埋层(202)的长度为P型衬底(201)全长的三分之一到三分之二。通常将N型埋层(202)的长度制作为P型衬底(201)全长的二分之一左右。本发明既阻止了器件开态时源和衬底之间发生穿通击穿，又使关态时器件的电势线在源端和漏端均匀分布，提高了器件的关态击穿电压，而且不增加外延层厚度和器件的面积、不影响器件的性能。本发明可应用于马达驱动、电源管理、平板显示器驱动等芯片的电路中。

主权项

1.一种高边NLDMOS结构，它包括P型衬底(201)、N型外延(203)，N型外延(203)上方有P阱(204)和N阱(213)；其中P阱(204)形成LDMOS的沟道，N阱(213)构成器件的漏端漂移区；P阱(204)中的P+注入区(205)连接器件的背栅电极(206)，N+注入区(208)连接源电极(207)；N阱(213)中的N+注入区(208a)连接漏电极(212)；栅电极(210)覆盖在栅氧(209)上方，并有一段延伸到场氧(211)上；其特征在于：在P型衬底(201)与N型外延(203)之间的N型埋层(202)是部分区段的，位于源端的下方。