半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置。在向待机模式转换时，利用控制信号(WLPD)使第1晶体管(11)成导通状态，将字线(WL)固定为接地电压(VSS)。还有，使第2晶体管(21)成非导通状态，切断对字线驱动器(WD)的内部电源电压(VDD)的供给。其后，为节约电力停止内部电源电压(VDD)的供给。在向通常模式回归时，开始内部电源电压(VDD)的供给之后，利用控制信号(WLPD)使第1晶体管(11)为非导通状态，使第2晶体管(21)为导通状态。

主权项

1.一种半导体装置，作为工作模式包含普通模式和待机模式，该半导体装置具备：电源部，生成第1以及第2内部电源电压；存储器单元阵列，包含设置为行列状且由所述第1内部电源电压驱动的多个存储器单元、以及分别对应于所述多个存储器单元的行设置的多条字线；多个字线驱动器，分别对应所述多条字线设置，分别由所述第2内部电源电压驱动，用于使对应的字线成有效状态；多个第1开关，分别对应于所述多条字线设置，分别连接于对应的字线和赋予基准电压的基准节点之间；第2开关，设置于对所述多个字线驱动器提供所述第2内部电源电压用的电源线上；以及控制电路，其中，所述控制电路在所述工作模式从所述通常模式切换到所述待机模式时，使所述多个第1开关为导通状态，使所述第2开关为非导通状态，此后停止所述第2内部电源电压的供给，所述控制电路在所述工作模式从所述待机模式切换到所述通常模式时，开始所述第2内部电源电压的供给，此后使所述多个第1开关成非导通状态，使所述第2开关成导通状态。