发明名称 |
非易失性存储器的抹除操作 |
摘要 |
一种用于譬如闪存的包含以行列方式配置的存储器单元的非易失性存储器的区段抹除方法,存储器单元被分割成多个区段。区段抹除方法包含:通过施加电压大小或脉冲宽度逐渐增加的连续抹除脉冲来抹除第一区段的存储器单元,直到第一区段的抹除确认为止;记录对应于第一区段的抹除状态信息,需要施加包含连续抹除脉冲的次数的此信息,以便抹除第一区段的存储器单元。通过施加具有从所记录的抹除状态信息决定的电压大小或脉冲宽度的第一抹除脉冲,可抹除下一区段的存储器单元。如果第一抹除脉冲无法抹除下一区段,则可增加第一抹除脉冲。 |
申请公布号 |
CN100543879C |
申请公布日期 |
2009.09.23 |
申请号 |
CN200610084265.X |
申请日期 |
2006.05.30 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
刘承杰;刘振钦;黄兰婷 |
分类号 |
G11C16/14(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
黄小临;王志森 |
主权项 |
1. 一种非易失性存储器用的区段抹除方法,该非易失性存储器包含多个以行列配置的存储器单元,并被分割成多个区段的存储器单元,该方法包含以下步骤:通过施加一系列的第一抹除脉冲来抹除第一区段的存储器单元;记录对应于该第一区段的抹除状态信息,该抹除状态信息包含用以抹除该第一区段的存储器单元所需要的该系列的多个抹除脉冲;依据该抹除状态信息决定初始第二抹除脉冲以抹除第二区段的存储器单元;以及通过首先施加该初始第二抹除脉冲以抹除该第二区段的存储器单元。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |